晶圆静电吸附（ESC）详解

  在前两篇文章中，我们分别介绍了常见的晶圆吸附技术，静电吸盘的详细原理，见文章： 常见的晶圆吸附技术

  什么是真空吸盘？晶圆真空吸盘通常由坚硬的表面构成，表面上有许多小孔或通道。通过这一些小孔，吸盘可以与真空泵连接，由此产生真空效应。

  当晶圆放置在吸盘上时，真空泵被打开，通过小孔抽取空气，从而在晶圆和吸盘之间产生真空。这个真空效应产生了足够的吸力，将晶圆牢固地吸附到吸盘表面上。

  真空吸盘的形状尺寸？点击加入作者的芯片制造与封装知识社区 晶圆真空吸盘通常是圆形的，并且比晶圆尺寸稍大。常见尺寸范围为直径 50 毫米至 300 毫米以上，大多数真空吸盘采用同心圆环真空设计。真空吸盘通常与晶圆的标准尺寸相匹配，且不一样的尺寸的晶圆对应对应尺寸的吸盘，一般不能混用。例如，150 毫米（6 inch）吸盘可以固定150 毫米晶圆，如果要兼容4inch晶圆，在大多数情况下要安装夹具。

  真空吸盘的材质？铝——吸盘由铝制成，铝是一种相对柔软、轻质、无磁性、耐腐蚀的材料。使用铝卡盘以避免损坏工件。铝和铝合金的导热性和导电性非常好。

  黄铜/青铜——吸盘由黄铜或青铜制作而成或内衬黄铜或青铜。黄铜卡盘和青铜卡盘可避免工件损坏，同时仍提供适当的刚性和精确的固定和定位。铜和一些铜合金的导热性和导电性非常好，在冷却或加热应用中会快速导热。。黄铜不适合用于高真空和高温腔室环境中的晶圆卡盘，因为黄铜合金中的锌很容易蒸发。 陶瓷– 陶瓷表面通常用于需要高纯度和化学稳定性的应用。陶瓷是通过矿物高温融合而生产的材料。一般来说，陶瓷是电绝缘体或半导体，并且具有高抗热击穿、侵蚀和损伤的能力。

  非热卡盘– 非热卡盘在室温下运行，没有加热或冷却功能。 热卡盘– 热卡盘具有整体加热或冷却功能，可在工艺流程中将晶圆保持在特定温度。

  外径——外径或宽度决定了可以固定的晶圆的尺寸 平整度——晶圆吸盘的平整度是一个重要的指标，通常以微米为单位。对于极紫外光刻，需要具有高平坦度的晶圆卡盘进行聚焦。 温度范围——对于热吸盘，这表明热吸盘能够给大家提供的温度控制范围。对于非热吸盘，温度范围表示吸盘可以在不损坏的情况下运行的极限温度。

  热稳定性——热稳定性表示热晶圆吸盘的温度控制水平。 热均匀性——整个晶圆表面温度控制的均匀性。具有高热均匀性的热卡盘不会有热点或冷点。

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  针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial

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  探针。我们正在考虑使用“微波测量手册”第9.3.1节中的“使用单端口校准进行夹具表征”。我们将使用ECAL用于SMA侧，并使用

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  的表面会形成许多格状物，成为晶格。经过切割器切割后成所谓的晶片2 分割线：

  级封装的开发主要是由集成器件制造厂家（IBM）率先启动。1964年，美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。

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  表面各部分的名称（1）器件或叫芯片（Chip，die，device，circuit，microchip，bar）：这是指在

  针测（Chip Probing；CP）之目的是针对芯片作电性功能上的 测试（Test），使 IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片，以避免对不良品增加制造成

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  是如何生长的？又是如何制备的呢？本文的主要内容有：沙子转变为半导体级硅的制备，再将其转变成晶体和

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  级的ESD发展得到促进， 很多厂会购买TLP系统 ---- 传输线脉冲检测系统，用于半导体器件和

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  电阻、贴片金属膜精密电阻、高精密无感电阻、圆柱型电阻、无引线金属膜电阻等叫法;英文名称是：Metal Film Precision Resistor-CSR

  级封装(WLP)就是在其上已经有某些电路微结构（好比古董）的晶片（好比座垫）与另一块经腐蚀带有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化学键结合在一起。在这些电路微结构体的上面就形成了一个带有密闭空腔的保护

  （晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制作的完整过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是很常见的半导体晶片，因为硅

  翘曲度是实测平面在空间中的弯曲程度，以翘曲量来表示，比如绝对平面的翘曲度为0。计算翘曲平面在高度方向最远的两点距离为最大翘曲变形量。翘曲度计算公式：

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  .光刻片.silicon pattern wafer. 蓝膜片.白膜片.

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